電荷泵型電子蜂鳴器驅(qū)動(dòng)芯片工作原理及性能分析

針對(duì)壓電式蜂鳴器對(duì)高壓驅(qū)動(dòng)信號(hào)的需求，電荷泵型驅(qū)動(dòng)芯片憑借無(wú)電感、低電磁干擾（EMI）、微型化等核心優(yōu)勢(shì)，成為消費(fèi)電子、智能家居等領(lǐng)域的優(yōu)選方案。本文系統(tǒng)構(gòu)建電荷泵型驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)分析框架，從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)出發(fā)，解析電容儲(chǔ)能-電壓倍增的核心工作機(jī)制，結(jié)合典型型號(hào)DC009的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，量化分析輸入電壓、工作頻率等關(guān)鍵參數(shù)對(duì)輸出特性的影響規(guī)律。實(shí)驗(yàn)表明，該類型芯片在輸入4.5V時(shí)，3倍壓拓?fù)漭敵鲭妷嚎蛇_(dá)13.2V，電壓穩(wěn)定度±3.8%，驅(qū)動(dòng)16Ω壓電式蜂鳴器時(shí)響度≥75dB，待機(jī)功耗低至3.6μW，綜合性能滿足主流應(yīng)用場(chǎng)景需求。

2025-11-11 15:40:06常州東村電子有限公司80

電荷泵型電子蜂鳴器驅(qū)動(dòng)芯片工作原理及性能分析

摘要：針對(duì)壓電式蜂鳴器對(duì)高壓驅(qū)動(dòng)信號(hào)的需求，電荷泵型驅(qū)動(dòng)芯片憑借無(wú)電感、低電磁干擾（EMI）、微型化等核心優(yōu)勢(shì)，成為消費(fèi)電子、智能家居等領(lǐng)域的優(yōu)選方案。本文系統(tǒng)構(gòu)建電荷泵型驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)分析框架，從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)出發(fā)，解析電容儲(chǔ)能-電壓倍增的核心工作機(jī)制，結(jié)合典型型號(hào)DC009的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，量化分析輸入電壓、工作頻率等關(guān)鍵參數(shù)對(duì)輸出特性的影響規(guī)律。實(shí)驗(yàn)表明，該類型芯片在輸入4.5V時(shí)，3倍壓拓?fù)漭敵鲭妷嚎蛇_(dá)13.2V，電壓穩(wěn)定度±3.8%，驅(qū)動(dòng)16Ω壓電式蜂鳴器時(shí)響度≥75dB，待機(jī)功耗低至3.6μW，綜合性能滿足主流應(yīng)用場(chǎng)景需求。

關(guān)鍵詞：電荷泵；驅(qū)動(dòng)芯片；壓電式蜂鳴器；電壓倍增；性能表征

一、引言

壓電式蜂鳴器基于壓電陶瓷的逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)發(fā)聲，具有體積?。ㄗ钚】芍?mm×5mm）、壽命長(zhǎng)（≥10萬(wàn)小時(shí)）、功耗低等特性，已廣泛應(yīng)用于智能穿戴、智能家居、汽車電子等領(lǐng)域的音頻提示系統(tǒng)[1]。其核心驅(qū)動(dòng)需求為12V-30V的高壓脈沖信號(hào)，而常規(guī)微控制器（MCU）的輸出電壓僅為2.5V-5.5V，無(wú)法直接驅(qū)動(dòng)，因此需專用驅(qū)動(dòng)芯片實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換。

當(dāng)前驅(qū)動(dòng)方案主要分為電感式和電荷泵式兩類：電感式通過(guò)電感儲(chǔ)能升壓，雖輸出功率大，但存在體積大（需外置電感）、EMI干擾強(qiáng)（開(kāi)關(guān)噪聲峰值≥50dBμV/m）等缺陷；電荷泵式采用開(kāi)關(guān)電容拓?fù)?，無(wú)需外置電感，EMI干擾可降低至40dBμV/m以下，且封裝尺寸最小可至2mm×2mm，完美適配小型化設(shè)備需求[2]。本文以市場(chǎng)主流的3倍壓電荷泵驅(qū)動(dòng)芯片為研究對(duì)象，系統(tǒng)解析其工作原理，通過(guò)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證性能，為芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化及工程選型提供理論與數(shù)據(jù)支撐。

二、電荷泵型驅(qū)動(dòng)芯片的核心工作原理

2.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

電荷泵型驅(qū)動(dòng)芯片的核心為開(kāi)關(guān)電容倍壓拓?fù)?，本文以典?倍壓電路為分析模型，其結(jié)構(gòu)由輸入單元、開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)、飛跨電容、輸出濾波單元及負(fù)載構(gòu)成。輸入單元為2.5V-5.5V的直流電源；開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)采用4個(gè)N溝道MOSFET器件（S1-S4），由內(nèi)部500kHz-1MHz的高頻振蕩器配合邏輯控制單元實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通時(shí)序的精準(zhǔn)同步；飛跨電容選用0.1μF-1μF的高頻陶瓷電容（C1、C2），具備快速電荷存儲(chǔ)與釋放能力；輸出濾波單元采用1μF-10μF的鉭電容（COUT），用于平抑輸出電壓波動(dòng)；負(fù)載為16Ω規(guī)格的壓電式蜂鳴器。

具體連接關(guān)系為：輸入電源VIN依次連接開(kāi)關(guān)管S1、S3，S1與S3的公共節(jié)點(diǎn)同時(shí)連接飛跨電容C1的一端；C1的另一端連接S2與S4的公共節(jié)點(diǎn)，S2的另一端接地，S4的另一端連接飛跨電容C2的一端，C2的另一端接地；S3與S4的公共節(jié)點(diǎn)作為輸出端，并聯(lián)濾波電容COUT后連接至壓電式蜂鳴器，蜂鳴器另一端接地。內(nèi)部控制模塊中，高頻振蕩器輸出信號(hào)經(jīng)邏輯控制單元處理后，分別控制S1-S4的導(dǎo)通與關(guān)斷，同時(shí)反饋檢測(cè)單元實(shí)時(shí)采集輸出端電壓信號(hào)，形成閉環(huán)控制。

2.2 電壓倍增機(jī)制

電荷泵的電壓倍增過(guò)程通過(guò)“充電-疊加”兩個(gè)周期性階段實(shí)現(xiàn)，以輸入電壓VIN=4.5V、振蕩器頻率500kHz（周期2μs）為例，兩階段工作過(guò)程如下：

2.2.1 充電階段（T1周期：0-1μs）

振蕩器輸出高電平時(shí)，邏輯控制單元觸發(fā)S1、S2導(dǎo)通，S3、S4關(guān)斷。此時(shí)輸入電壓VIN通過(guò)導(dǎo)通的S1對(duì)飛跨電容C1形成充電回路（VIN→S1→C1→S2→GND），充電時(shí)間常數(shù)τ=RON×C1（其中RON為開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通電阻，典型值8Ω）。經(jīng)0.8μs后，C1兩端電壓UC1穩(wěn)定至4.4V，充電效率達(dá)97.8%。此階段輸出端無(wú)外部充電，濾波電容COUT通過(guò)負(fù)載放電維持電壓，輸出電壓UOUT從13.5V緩慢降至13.0V，波動(dòng)幅度≤3.8%。

2.2.2 倍壓階段（T2周期：1-2μs）

振蕩器輸出低電平時(shí)，邏輯控制單元切換至S3、S4導(dǎo)通，S1、S2關(guān)斷。已存儲(chǔ)電荷的C1通過(guò)S4釋放，其兩端電壓UC1與輸入電壓VIN形成串聯(lián)疊加，產(chǎn)生8.9V的復(fù)合電壓（4.5V+4.4V），該電壓通過(guò)導(dǎo)通的S3對(duì)C2形成充電回路（VIN→S3→C2→S4→C1→GND）。由于C2前期已存儲(chǔ)部分電荷，經(jīng)1μs倍壓階段后，輸出端電壓疊加升至13.5V，完成一次完整的倍壓循環(huán)。

兩階段以2μs為周期交替運(yùn)行，通過(guò)COUT的持續(xù)濾波作用，最終實(shí)現(xiàn)13.2V左右的3倍壓穩(wěn)定輸出，輸出電壓波動(dòng)控制在±3.8%以內(nèi)，完全匹配壓電式蜂鳴器的高壓驅(qū)動(dòng)需求。

2.3 穩(wěn)壓與保護(hù)機(jī)制

為應(yīng)對(duì)輸入電壓波動(dòng)及負(fù)載異常，芯片內(nèi)置閉環(huán)穩(wěn)壓與多重保護(hù)電路，保障工作穩(wěn)定性與可靠性：

閉環(huán)穩(wěn)壓電路：采用“誤差放大器+PWM調(diào)節(jié)”架構(gòu)，實(shí)時(shí)采樣輸出電壓UOUT并與內(nèi)部13.5V基準(zhǔn)電壓比較，通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間占空比（50%±5%），將UOUT波動(dòng)精準(zhǔn)控制在±3.8%以內(nèi)，適配不同輸入電壓場(chǎng)景；
過(guò)流保護(hù)：內(nèi)置電流檢測(cè)電阻，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)10mA（壓電蜂鳴器額定電流的2倍）時(shí)，電阻壓降觸發(fā)保護(hù)邏輯，1μs內(nèi)快速關(guān)斷輸出，避免負(fù)載過(guò)載損壞；
過(guò)熱保護(hù)：集成PN結(jié)溫度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片結(jié)溫，當(dāng)溫度超過(guò)125℃時(shí)自動(dòng)進(jìn)入低功耗待機(jī)模式，待結(jié)溫降至85℃時(shí)恢復(fù)正常工作，適配高溫環(huán)境；
短路保護(hù)：輸出端對(duì)地短路時(shí)，短路電流觸發(fā)MOSFET開(kāi)關(guān)管強(qiáng)制關(guān)斷，待機(jī)電流降至0.8μA，有效避免芯片燒毀，短路故障解除后自動(dòng)恢復(fù)工作。

三、性能測(cè)試與分析

3.1 測(cè)試方案設(shè)計(jì)

選取市場(chǎng)主流的DC009型3倍壓電荷泵驅(qū)動(dòng)芯片為測(cè)試樣本，搭建標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試平臺(tái)：輸入電源采用可編程直流電源（電壓調(diào)節(jié)精度0.01V），負(fù)載為16Ω/12V規(guī)格的壓電式蜂鳴器，測(cè)試儀器包括100MHz示波器（用于電壓波形與穩(wěn)定性測(cè)量）、精密聲級(jí)計(jì)（距離1m測(cè)量發(fā)聲響度）、高精度功率分析儀（測(cè)量功耗參數(shù)），測(cè)試環(huán)境控制為室溫25℃、相對(duì)濕度50%±5%。測(cè)試項(xiàng)目涵蓋輸入輸出電壓特性、工作頻率與EMI及響度的關(guān)聯(lián)性、功耗特性及寬溫可靠性。

3.2 核心性能測(cè)試結(jié)果

3.2.1 輸入輸出電壓特性

在2.5V-5.5V范圍內(nèi)改變輸入電壓VIN，同步測(cè)量輸出電壓UOUT、電壓穩(wěn)定度及倍壓效率，測(cè)試結(jié)果如表1所示。數(shù)據(jù)顯示，該芯片存在最優(yōu)輸入電壓區(qū)間：當(dāng)VIN=3.0V-5.5V時(shí)，倍壓效率維持在96.4%-98.9%，電壓穩(wěn)定度≤±4.5%，輸出電壓完全滿足壓電蜂鳴器的12V-30V驅(qū)動(dòng)要求；當(dāng)VIN<3.0V時(shí)，受限于開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通損耗增加，倍壓效率降至90.7%，電壓穩(wěn)定度變差至±6.2%，因此推薦在3.0V-5.5V輸入條件下使用。

輸入電壓VIN（V）	輸出電壓UOUT（V）	理論倍壓值（V）	電壓穩(wěn)定度（%）	倍壓效率（%）
2.5	6.8	7.5	±6.2	90.7
3.0	8.9	9.0	±4.5	98.9
4.5	13.2	13.5	±3.8	97.8
5.5	15.9	16.5	±4.2	96.4

表1 DC009芯片輸入輸出電壓特性測(cè)試結(jié)果

3.2.2 工作頻率與EMI、響度特性

固定輸入電壓VIN=4.5V（最優(yōu)輸入點(diǎn)），在200kHz-1000kHz范圍內(nèi)調(diào)節(jié)振蕩器工作頻率，測(cè)量30MHz-1GHz頻段的EMI干擾值及蜂鳴器響度。測(cè)試結(jié)果表明，工作頻率與EMI、響度呈顯著的非線性關(guān)聯(lián)：當(dāng)頻率為500kHz時(shí)，系統(tǒng)達(dá)到最優(yōu)性能平衡——EMI干擾值低至38dBμV/m，低于FCC Part 15標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的47dBμV/m限值，同時(shí)蜂鳴器響度達(dá)到78dB；當(dāng)頻率高于500kHz時(shí)，開(kāi)關(guān)管切換速度加快導(dǎo)致開(kāi)關(guān)噪聲增強(qiáng)，EMI干擾值線性上升，1000kHz時(shí)升至45dBμV/m；當(dāng)頻率低于500kHz時(shí)，飛跨電容充放電不充分，驅(qū)動(dòng)信號(hào)能量不足，蜂鳴器響度隨頻率降低而下降，300kHz時(shí)響度僅為68dB，無(wú)法滿足嘈雜環(huán)境的提示需求。

3.2.3 功耗與可靠性特性

在最優(yōu)工作條件（VIN=4.5V、頻率=500kHz）下，功耗測(cè)試結(jié)果顯示：芯片動(dòng)態(tài)工作時(shí)（持續(xù)驅(qū)動(dòng)蜂鳴器發(fā)聲），工作電流穩(wěn)定在4.2mA，對(duì)應(yīng)功耗18.9mW；待機(jī)狀態(tài)下（無(wú)驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入），待機(jī)電流僅0.8μA，功耗低至3.6μW，相比同功率等級(jí)的電感式驅(qū)動(dòng)芯片（待機(jī)功耗約15μW），功耗降低76%，顯著提升電池供電設(shè)備的續(xù)航能力。

可靠性測(cè)試方面，寬溫測(cè)試結(jié)果顯示：在-40℃-85℃的極端溫度范圍內(nèi)，芯片輸出電壓波動(dòng)幅度≤±5%，響度變化≤3dB，滿足車載、工業(yè)等寬溫場(chǎng)景需求；經(jīng)過(guò)1000次溫度循環(huán)測(cè)試（-40℃→85℃，循環(huán)周期1h）后，各項(xiàng)性能參數(shù)無(wú)明顯衰減；輸出短路測(cè)試中，連續(xù)短路1h后芯片仍能正常啟動(dòng)并工作，保護(hù)機(jī)制響應(yīng)可靠。

四、結(jié)論與展望

本文通過(guò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解析、工作時(shí)序拆解及實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證，明確了電荷泵型電子蜂鳴器驅(qū)動(dòng)芯片的核心技術(shù)特征：以開(kāi)關(guān)電容拓?fù)錇榛A(chǔ)，通過(guò)“充電-倍壓”兩階段交替運(yùn)行實(shí)現(xiàn)低壓到高壓的高效轉(zhuǎn)換，配合閉環(huán)穩(wěn)壓與多重保護(hù)電路，確保輸出穩(wěn)定性與工作可靠性。典型型號(hào)DC009的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)表明，該類芯片在3.0V-5.5V輸入范圍內(nèi)，倍壓效率≥96.4%，電壓穩(wěn)定度≤±4.5%，EMI干擾≤45dBμV/m，綜合性能優(yōu)于傳統(tǒng)電感式驅(qū)動(dòng)方案，可充分滿足智能穿戴、智能家居、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。

未來(lái)該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展可聚焦三個(gè)方向：一是拓?fù)浼軜?gòu)創(chuàng)新，開(kāi)發(fā)自適應(yīng)倍壓電路（支持1.5倍/2倍/3倍壓模式切換），提升對(duì)寬范圍輸入電壓的適配能力；二是智能化升級(jí)，集成I2C等數(shù)字控制接口，支持輸出電壓、工作頻率的數(shù)字化調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)多音調(diào)、變響度的定制化發(fā)聲需求；三是工藝優(yōu)化，采用先進(jìn)CMOS工藝降低開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通電阻與寄生參數(shù)，推動(dòng)倍壓效率突破99%，進(jìn)一步降低動(dòng)態(tài)功耗與待機(jī)功耗，適配物聯(lián)網(wǎng)等低功耗場(chǎng)景。